Sol-Gel法制备低阻In2 O3薄膜

功能材料, 2001, 32(4): 407-409.

1.吉林大学电子工程系,

2.吉林大学电子工程系,

3.吉林大学电子工程系,

4.吉林大学电子工程系,

基金项目: 国家自然科学基金(69774027)

Preparation of low resistance In2O3 thin film by sol-gel method Optical characterization of manganese-doped zinc sulfide nanoparticles synthesized in microemulsion

采用sol-gel法制备In2O3薄膜材料,研究了不同制备条件对薄膜电阻的影响;分别用XPS、XRD方法对材料进行了分析,确定了其结构和组成,并用此薄膜材料制作了直热式气敏元件,发现它对乙醇、丁烷气体具有较高的灵敏度.

[1]	向思清,索辉,阮圣平.SoI-GeI法制备SnO2纳米晶薄膜[J].功能材料,2000(Z1):72.
[2]	Gurlo A.;Pfau A.;Weimar U.;Gopel W.;Ivanovskaya M. .SOL-GEL PREPARED IN2O3 THIN FILMS[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1997(1/2):288-293.

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