欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

采用磁控溅射法制备锰铜薄膜,溅射和真空蒸发法制备镱薄膜.对热处理前后薄膜的电学性能、微观形貌和结构进行了表征,并采用轻气炮和对顶砧装置对薄膜传感器进行了压阻性能测试,结果表明热处理后薄膜的压阻系数有很大提高.SEM和XRD的分析表明,压阻系数的提高是由于热处理后薄膜晶粒长大、缺陷减少、电阻率下降所致.敏感薄膜的电阻率与传感器的灵敏度直接相关.热处理后,薄膜压阻计的灵敏度已接近箔式传感器的水平,热处理是提高薄膜压阻计灵敏度的有效手段.

参考文献

[1] Graham R A;Asay J R .[J].High Temperature and High Pressure,1978,10:355.
[2] Yiannakopoulos G .A Review of Manganin Gauge Technology for Measurements in the Gigapascal Range[R].Australia Mater Res Lab Report,No:MRL-TR-90-5,1990.
[3] 杜晓松 .锰铜薄膜超高压力传感器研究[D].电子科技大学,2002.
[4] Rosenberg Z .[J].Journal of Applied Physics,1986,60:2641.
[5] 施尚春,董石,黄跃,周鸿仁.镀膜锰铜压阻计结晶问题研究[J].高压物理学报,2001(04):254-258.
[6] Gupta Y M .[J].Journal of Applied Physics,1983,54:6256.
[7] Du Xiaosong;Yang Bangchao;Zhou Hongren .[J].Thin Solid Films,2002,410:167.
[8] 滕林,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,崔红玲,肖庆国.镱薄膜传感器压阻灵敏度的研究[J].高压物理学报,2004(01):90-93.
[9] Safa M M A;Anderson J C;Leather J A .[J].Sensors and Actuators,1983,3:119.
[10] 施尚春.镀膜锰铜计的压阻性能研究[J].高压物理学报,1992(01):68.
[11] Mihara Y;Someya T .[J].Japanese Journal of Tribology,1998,43:903.
[12] Brar N S;Gupta Y M.Shock Waves in Condensed Matter-1985[M].New York:Plenum Press,1986:513.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%