采用磁控溅射法制备锰铜薄膜,溅射和真空蒸发法制备镱薄膜.对热处理前后薄膜的电学性能、微观形貌和结构进行了表征,并采用轻气炮和对顶砧装置对薄膜传感器进行了压阻性能测试,结果表明热处理后薄膜的压阻系数有很大提高.SEM和XRD的分析表明,压阻系数的提高是由于热处理后薄膜晶粒长大、缺陷减少、电阻率下降所致.敏感薄膜的电阻率与传感器的灵敏度直接相关.热处理后,薄膜压阻计的灵敏度已接近箔式传感器的水平,热处理是提高薄膜压阻计灵敏度的有效手段.
参考文献
[1] | Graham R A;Asay J R .[J].High Temperature and High Pressure,1978,10:355. |
[2] | Yiannakopoulos G .A Review of Manganin Gauge Technology for Measurements in the Gigapascal Range[R].Australia Mater Res Lab Report,No:MRL-TR-90-5,1990. |
[3] | 杜晓松 .锰铜薄膜超高压力传感器研究[D].电子科技大学,2002. |
[4] | Rosenberg Z .[J].Journal of Applied Physics,1986,60:2641. |
[5] | 施尚春,董石,黄跃,周鸿仁.镀膜锰铜压阻计结晶问题研究[J].高压物理学报,2001(04):254-258. |
[6] | Gupta Y M .[J].Journal of Applied Physics,1983,54:6256. |
[7] | Du Xiaosong;Yang Bangchao;Zhou Hongren .[J].Thin Solid Films,2002,410:167. |
[8] | 滕林,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,崔红玲,肖庆国.镱薄膜传感器压阻灵敏度的研究[J].高压物理学报,2004(01):90-93. |
[9] | Safa M M A;Anderson J C;Leather J A .[J].Sensors and Actuators,1983,3:119. |
[10] | 施尚春.镀膜锰铜计的压阻性能研究[J].高压物理学报,1992(01):68. |
[11] | Mihara Y;Someya T .[J].Japanese Journal of Tribology,1998,43:903. |
[12] | Brar N S;Gupta Y M.Shock Waves in Condensed Matter-1985[M].New York:Plenum Press,1986:513. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%