C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

功能材料, 2005, 2(z1): 28-35.

1.苏州大学,物理系,江苏省薄膜材料重点实验室,江苏,苏州,215006

2.苏州大学,物理系,江苏省薄膜材料重点实验室,江苏,苏州,215006

3.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

基金项目: 科技部科研项目(G2000067207-2) 中国科学院资助项目(10275047)

The mechanism of suppressing grid emission using carbon or hafnium thin film

利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N2保护下,通过在900～1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解释了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.

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