Ga、K双掺杂对N型Bi2Te2.7Se0.3材料热电性能的影响

稀有金属材料与工程, 2015, 44(1): 236-239.

Ga、K双掺杂对N型Bi2Te2.7Se0.3材料热电性能的影响

段兴凯 ^1, , 胡孔刚 ^2, , 丁时锋 ^3, , 满达虎 ^4, , 林伟明 ^5, , 金海霞 ^6,

1.九江学院,江西九江332005

2.九江学院,江西九江332005

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5.九江学院,江西九江332005

6.九江学院,江西九江332005

基金项目: 国家自然科学基金(51161009) 江西省教育厅科技资助项目(GJJ13722)

关键词：双掺杂 , 热压 , 显微结构 , 热电性能

Effects of Ga and K Dual Doping on Thermoelectric Properties of N-type Bi2Te2.7Se0.3

Keywords： dual doping , hot pressing , microstructure , thermoelectric properties

采用真空熔炼及热压方法制备了Ga和K双掺杂N型Bi2Te2.7Se0.3热电材料.XRD分析结果表明,Ga和K已经完全固溶到Bi2Te2.7Se0.3晶体结构中,形成了单相固溶体合金.SEM分析表明,材料组织致密且有层状结构特征.通过Ga和K部分替代Bi,在300～500 K的大部分温度范围内,Ga和K双掺杂对提高Bi2Te2.7Se0.3的Seebeck系数产生了积极的作用,同时双掺杂样品的电导率也得到明显的提高.Ga和K双掺杂样品的热导率都大于未掺杂的Bi2T2.7Se0.3,Ga0.02Bi1.94K0.04Te2.7 Se0.3合金在500 K获得ZT最大值为1.05.

参考文献

[1]	Fan XA;Yang JY;Chen RG;Yun HS;Zhu W;Bao SQ;Duan XK .Characterization and thermoelectric properties of p-type 25%Bi2Te3-75% Sb2Te3 prepared via mechanical alloying and plasma activated sintering[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2006(4):740-745.
[2]	马旭颐,张忻,路清梅,张久兴.细晶Bi2Te3块体材料的制备及其热电性能[J].稀有金属材料与工程,2012(06):1097-1100.
[3]	修伟杰,应鹏展,崔教林,薛海峰.SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te 合金及其热电性能[J].稀有金属材料与工程,2008(02):334-337.
[4]	Duan XK;Yang JY;Xiao CJ;Zhu W .Structural and thermoelectric properties of Ag-doped Bi-2(Te0.95Se0.05)(3) thin films prepared by flash evaporation[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2007(19):5971-5974.

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Effects of Ga and K Dual Doping on Thermoelectric Properties of N-type Bi2Te2.7Se0.3

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