采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体.比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析.结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,具有较好的结晶性能,晶格常数为5.668nm,Zn与Se的化学成分比为1∶1,没有其它杂质峰;未加碘的产物为多孔状陶瓷,说明加碘可以明显提高ZnSe的结晶性能,解决了一致升华范围较窄的限制条件,避免了ZnSe生长动力学的限制,因此可以获得理想化学计量比的ZnSe晶体.
参考文献
[1] | Ishibashi A. .II-VI BLUE-GREEN LIGHT EMITTERS[J].Journal of Crystal Growth,1996(1/4):555-565. |
[2] | 苏小平;余怀之;褚乃林 et al.半导体材料的红外光学特性及其应用[J].稀有金属,1997,21(06):469. |
[3] | Reinhold B.;Wienecke M. .Post growth n-type doping of ZnSe-bulk single crystals[J].Journal of Crystal Growth,1999(4):434-440. |
[4] | 何兴仁 .半导体激光器发展现状与趋势[J].光电子技术与信息,1999,12(04):14. |
[5] | 顾庆天.高质量ZnSe单晶的研究[J].人工晶体学报,1998(03):237. |
[6] | 李文渭,李焕勇,介万奇.单质直接气相生长ZnSe单晶[J].人工晶体学报,2008(05):1051-1055. |
[7] | Fujiwara S.;Kotani T.;Matsumoto K.;Shirakawa T.;Morishita H. .Growth of large ZnSe single crystal by CVT method[J].Journal of Crystal Growth,1998(1/2):60-66. |
[8] | Fang CS.;Wei JQ.;Pan QW.;Shi W.;Wang JY.;Gu QT. .Growth of ZnSe single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2000(2/3):542-546. |
[9] | Urbieta A.;Piqueras J.;Munoz V.;Fernandez P. .Scanning electron microscopy characterization of ZnSe single crystals grown by solid-phase recrystallization[J].Materials Science & Engineering, B. Solid-State Materials for Advanced Technology,2000(2/3):105-108. |
[10] | Hartmann H;Hildisch H et al.Morphological stability and crystal structure of CVD growth zinc selenide[J].Journal of Materials Science,1988,26(18):4917. |
[11] | 王锋,常芳娥,坚增运,惠增哲,程萍,龙伟.ZnSe晶体制备的工艺研究[J].西安工业学院学报,2005(01):61-63,67. |
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