利用第一性原理计算了立方氮化硼(CBN)的电子结构和光学性质.计算结果表明CBN属于宽禁带间接能隙半导体,带隙值为4.76 eV,B原子和N原子的价电子结构分别为2s0.632p1.73和2s1.482p4.16,B-N布居数为0.64,键长为0.156 53 nm,吸收长波限值约为110 nm,静态介电常数为4.536,光吸收系数及禁带宽度随着外加压力的增大而增大.分别用杂化轨道理论和分子轨道理论对CBN的电子态进行分析,分子轨道理论更能解释DOS计算的结果.
参考文献
| [1] | Wentzeovith R M;Chang K;Cohen M L .[J].Physical Review B:Condensed Matter,1986,34:1071. |
| [2] | Gubanov VA.;Klein BM.;Fong CY.;Lu ZW. .ELECTRONIC STRUCTURE OF DEFECTS AND IMPURITIES IN III-V NITRIDES - VACANCIES IN CUBIC BORON NITRIDE[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1996(8):4377-4385. |
| [3] | 贾建峰,武海顺.BN纳米管内含C纳米管--结构与电学性质[J].物理化学学报,2006(12):1520-1525. |
| [4] | 何开华,郑广,吕涛,陈刚,姬广富.高压对氮化硼纳米管的几何结构、电子结构和光学性质的影响[J].物理学报,2006(06):2908-2913. |
| [5] | 吴延昭,王玉芳,金庆华,丁大同,蓝国祥.单壁氮化硼纳米管的结构、对称性和晶格动力学[J].光散射学报,2005(02):125-131. |
| [6] | Oku T;Narita I .[J].PHYSICA B,2002,323:216. |
| [7] | Nasreen G;Chopra;A Zettl .[J].Solid State Communications,1998,105:297. |
| [8] | Bias X;Rubio A;Louie.S G et al.[J].Europhysics Letters,1994,28:335. |
| [9] | Rubio A;Corkill J L;Cohen M L .[J].Physical Review B:Condensed Matter,1994,49:5081. |
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