离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

功能材料, 2004, 35(z1): 1116-1118.

1.云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091

2.云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091

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基金项目: 云南省科技攻关项目(2001G06)

Study of amorphous Si thin films fabricated by ion-beam sputtering

用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.

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