金属钽可作为集成电路中铜与硅基板的阻隔层材料,以防止铜与硅扩散生成铜硅合金影响电路性能.采用钽靶材通过物理气相沉积技术溅射钽到硅片上.靶材晶粒尺寸与织构取向影响溅射速率及溅射薄膜均匀性,要求钽靶材晶粒尺寸应小于100 μm,在靶材整个厚度范围内应主要是(111)型织构.同时,为了避免薄膜存在杂质颗粒,要求钽靶材纯度不小于99.99％.本文对钽靶材电子束熔炼、锻造、轧制、热处理等关键工艺进行了系统研究,找到了一种有别于常规钽靶材生产工艺的新方法,所生产产品化学纯度、晶粒尺寸、织构等性能优良,产品成品率高,适于批量化生产.
参考文献
| [1] | 潘伦桃;李彬;郑爱国;吕建波;李海军;王秋迎.钽在集成电路中的应用[J].稀有金属,2003(1):28-34. |
| [2] | Christopher A. Michaluk;Matthew M. Nowell;Ronald A. Witt.Quantifying the Recrystallization Texture of Tantalum[J].JOM,20023(3):51-54. |
| [3] | Christopher A. Michaluk.Correlating Discrete Orientation and Grain Size to the Sputter Deposition Properties of Tantalum[J].Journal of Electronic Materials,20021(1):2-9. |
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