掺钾PZN基陶瓷的有序微区及介电和电致应变性能研究

功能材料, 2003, 34(2): 205-207.

掺钾PZN基陶瓷的有序微区及介电和电致应变性能研究

屈绍波 ^1, , 刘万俊 ^2, , 高峰 ^3, , 薛锦 ^4, , 田长生 ^5,

1.西安交通大学,机械工程学院,陕西,西安,710049;空军工程大学,文理学院,陕西,西安,710038

2.空军工程大学,文理学院,陕西,西安,710038

3.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

4.西安交通大学,机械工程学院,陕西,西安,710049

5.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

基金项目: 航空基础科学基金(99G53088) 国家自然科学基金(S0002009)

关键词： Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 , 掺钾 , 有序微区 , 介电性能 , 电致应变

The effect of K+-doping on the ordered micro-region, dielectric and electrostrictive properties of O. 80Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-based ceramics

使用二次合成法制备了不同钾含量的0.85%(Zn1/3Nb2/3)O3-0.10BaTiO3-0.05PbTiO3陶瓷.首先研究了掺钾对PZN基预烧粉体和陶瓷相组成的影响.在此基础上详细研究了掺钾对PZN基陶瓷有序微区以及介电和电致应变性能的影响规律.掺钾对PZN基预烧粉体和陶瓷的相组成影响很小;理论计算和Raman散射光谱分析都表明掺钾使PZN基陶瓷的有序微区的尺寸稍微减小;掺钾也减小了PZN基陶瓷的介电和电致应变性能,并分析了掺钾降低介电和电致应变性能的原因.

参考文献

[1]	Uchino K .[J].American Ceramic Society Bulletin,1986,65(04):647.
[2]	Yohachi Y .[J].American Ceramic Society Bulletin,1994,73(08):74.
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[4]	Swartz S L;Shrout T R .[J].Materials Research Bulletin,1982,17(10):1245.
[5]	Bidault O.;Morell A.;Husson E. .EFFECTS OF LEAD VACANCIES ON THE SPONTANEOUS RELAXOR TO FERROELECTRIC PHASE TRANSITION IN PB[(MG1/3NB2/3)(0.9)TI-0.1]O-3[J].Journal of Applied Physics,1997(11):5674-5679.
[6]	Heike I;William B W .[J].Journal of Applied Physics,1994,76(03):1789.
[7]	Siny I G;Katiya S .[J].Ferroelectrics,1999,223:35.
[8]	Husson E;Abello L;Morell A .[J].Materials Research Bulletin,1990,25:539.
[9]	Qu S;Gao F;Tian C.[J].Ferroelectrics

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掺钾PZN基陶瓷的有序微区及介电和电致应变性能研究

The effect of K+-doping on the ordered micro-region, dielectric and electrostrictive properties of O. 80Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-based ceramics

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