利用扫描电镜(SEM)及能谱(EDS)技术研究激光晶体缺陷,给出了经腐蚀过后Nd: YAG晶体表面位错蚀坑的清晰图片和元素分布定量信息,同时进行了对比实验,并对实验结果进行了分析.结果表明:Nd: YAG晶体位错腐蚀坑呈三角锥状,腐蚀坑杂质元素分布较多,主要元素含量偏离晶体完整区成份;位错腐蚀坑稀疏区与密堆区元素分布及含量不同.并讨论了位错成因.
参考文献
| [1] | 吕海涛,张维连,左燕,步云英.化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷[J].半导体技术,2004(04):48-51. |
| [2] | 杨培志,邓佩珍,殷之文,田玉莲.Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向[J].人工晶体学报,2000(04):399-403. |
| [3] | 王召兵,张庆礼,殷绍唐,孙敦陆,苏静,张霞,邵淑芳.Ce3+：YAG晶体位错的研究[J].人工晶体学报,2005(05):861-864. |
| [4] | 曾贵平,曹余惠,殷绍唐.掺质YAG晶体中的缺陷[J].人工晶体学报,1999(04):354-358. |
| [5] | 于永贵,张怀金,王继扬,胡小波,于浩海.Yb：GdVO4晶体的缺陷研究[J].中国稀土学报,2007(04):494-499. |
| [6] | 马会龙,臧竞存,刘燕行,邹玉林.Nd∶GdVO4单晶的生长、位错和形貌[J].中国稀土学报,2003(03):355-358. |
| [7] | 宋平新,赵志伟,徐晓东,邓佩珍,徐军.提拉法Tm：YAG晶体的生长缺陷研究[J].无机材料学报,2005(04):869-874. |
| [8] | 李红军,赵广军,曾雄辉,钱振英,郭聚平,周圣明,徐军.高温闪烁晶体Ce：YAP的化学腐蚀形貌[J].人工晶体学报,2004(01):123-125. |
| [9] | 王亚男;陈树江;董希淳.位错理论及其应用[M].北京:冶金工业出版社,2007:111-112. |
| [10] | 张玉龙;唐磊.人工晶体-生长技术、性能与应用[M].北京:化学工业出版社,2005:87-88. |
| [11] | 石德珂.材料科学基础[M].北京:机械工业出版社,2003:109-111. |
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