电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅的影响

功能材料, 2009, 40(6): 966-969.

电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅的影响

张光辉 ^1, , 孔令峰 ^2, , 潘倩 ^3, , 黎学明 ^4,

1.重庆大学,化学化工学院,重庆,400030

2.重庆大学,化学化工学院,重庆,400030

3.重庆大学,化学化工学院,重庆,400030

4.重庆大学,化学化工学院,重庆,400030

基金项目: 国家自然科学基金(10476035)

关键词：阵列多孔硅 , 电化学 , 阳极氧化 , 表面活性剂

Influence of electrochemical anodization conditions on arrayed porous silicon

采用电化学阳极氧化法,将预光刻图案的p型硅片制备成阵列多孔硅.讨论电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅形貌的影响.结果表明:随着HF浓度、电流密度、阳极氧化时间的增大,阵列多孔硅的孔深逐渐加大;当HF:C2H5OH:H2O(体积比)为1:1:1～1:2:5,电流密度为1.56mA/cm2,阳极氧化时间为3h时,制备出的阵列多孔硅具有比较规整的阵列孔,并且孔深能够达到50pm;表面活性剂对阵列孔的形成有很大影响,加入表面活性剂后形成的孔才具有一定的规整性以及深宽比.

参考文献

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