对离子束增强反应磁控溅射低温沉积AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。
Microstructure,crystallography,electron structure and optical properties ofaluminum nitride film deposited by ion beam enhanced reactive magnetron sputtering were stu-died.The results show that the microstructure of the film is uniform and the grain size
参考文献
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