氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性

功能材料, 2002, 33(3): 283-285.

氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性

黄峰 ^1, , 康健 ^2, , 杨慎东 ^3, , 叶超 ^4, , 程珊华 ^5, , 宁兆元 ^6, , 甘肇强 ^7,

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关键词： a-C:F薄膜 , MWECR-CVD , 光学带隙 , J-V特性

The optical gap and I-V characteristic of a-C: F thin film

用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制.

参考文献

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