SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究

人工晶体学报, 2014, 43(3): 693-697.

1.西安工业大学机电工程学院,西安710032

2.陕西师范大学计算机科学学院,西安710062

基金项目: 陕西省特种加工重点实验室资助(13JS044) 陕西省特种加工重点实验室开放基金陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室访问学者专项计划项目陕西省教育厅项目资助(12JK0664) 校长基金项目(XAGDXJJ1007)

Simulation Analysis and Experimental Research of High Efficiency and Low Damage Processing Mechanism for SiC Single Crystal Chip

1.西安工业大学机电工程学院,西安710032

2.陕西师范大学计算机科学学院,西安710062

SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点.本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证.仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50％,材料去除率提高达100％.

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