以纯In,SnCl4·5H2O和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末.通过对铟和锡的络合盐--(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SnCl6的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与铟离子的总浓度比(TCl/TIn)研究了络离子对ITO粉末粒度的影响,还系统地研究了沉淀剂的浓度、终点pH值、前驱体洗涤次数和煅烧温度对ITO粉末粒度的影响;通过XRD和激光粒度仪对所制粉体进行了表征.结果表明:当TCl/TIn=5,沉淀剂为20%的NH4HCO3溶液,终点pH值为6.0~7.0,前驱体的洗涤次数为6次,煅烧温度为700~800℃时所得ITO粉末粒度最佳.
参考文献
[1] | 张久兴,张艳峰.液相共沉淀法制备纳米ITO粉体[J].稀有金属材料与工程,2006(03):451-454. |
[2] | 张维佳,王天民,吴小文,钟立志,崔敏.纳米ITO粉末制备工艺优化设计[J].稀有金属材料与工程,2005(09):1352-1356. |
[3] | Kim Bong-Chull et al.[J].Materials Letters,2002,52:114. |
[4] | 刘建玲,赖琼琳,陈宗璋,何莉萍,杨天足,江名喜.制备工艺对纳米级铟锡氧化物(ITO)形貌和电性能的影响[J].功能材料,2005(04):559-562. |
[5] | Xua Huarui et al.[J].Materials Letters,2005,59:19. |
[6] | Utsumi Kentaro et al.[J].Thin Solid Films,1998,334(12):30. |
[7] | Karasawa T et al.[J].Thin Solid Films,1993,223(01):135. |
[8] | 高愈尊 et al.[J].稀有金属,1998,17(01):50. |
[9] | 张维佳,王天民,糜碧,洪轲.纳米ITO粉末及高密度ITO靶制备工艺的研究现状[J].稀有金属材料与工程,2004(05):449-453. |
[10] | 朱归胜,徐华蕊,廖春图.单分散纳米氧化铟锡粉末的水热合成[J].无机材料学报,2005(02):479-483. |
[11] | Nam J G;Choi H .[J].Scripta Materialia,2001,44:2047. |
[12] | Kim B C.[J].Materials Research Society,2000(581):27. |
[13] | Granqvist CG.;Hultaker A. .Transparent and conducting ITO films: new developments and applications[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2002(1):1-5. |
[14] | Utsumia K et al.[J].Thin Solid Films,2003,445:229. |
[15] | Tunstall D P;Patou S;Liu R S et al.[J].Materials Research Bulletin,1999,34(10-11):1513. |
[16] | 张建荣,顾达,高濂,杨云霞.纳米ATO粉体的制备及性能研究[J].硅酸盐通报,2003(04):3-6. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%