用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在c-Al2O3衬底上生长了InGaN三元合金薄膜,重点研究了其光致发光光谱,通过改变光谱仪的接收位置,观察到PL谱之间的差异.为了验证此种现象和激发光功率的相关性,实验中通过改变激发光的强度,从而断定强功率的激发光会引起局域化激子复合发光的受激辐射,从而导致PL谱中伴峰的出现,以及发光峰光强变强.通过实验数据和理论计算数值的分析比较,初步认为薄膜波导对出射光具有的微腔效应,薄膜波导的吸收、反射和透射所造成的波长选择效应是PL谱之间存在差异的原因.
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