研究了高磁导MnZn铁氧体在等静压力下的压磁导效应、以及相应器件中不依赖于趋肤效应的压阻抗效应.在几个兆帕的压力下同时观测到其巨大的压磁导效应及压阻抗效应.当频率低于1kHz时,随信号频率的增大,上述压磁导效应及压阻抗效应会分别经历一个最大值.对于磁导率介于5000~15000范围内的MnZn铁氧体,在6MPa的压力下,压阻抗效应均可超过60%.分析显示,上述压力效应是由于外部压力导致铁氧体内应力改变,以致磁化状态改变所致.
参考文献
[1] | Machado F L A,Martins C S,Rezende S M.Phys.Rev.B,1995,51(6):3926-3929. |
[2] | Panina L V,Mohri K.Appl.Phys.Lett.,1994,65(9):1189-1191. |
[3] | Shen L P,Uchiyama T,Mohri K,et al.IEEE Trans.Magn.,1997,33(5):3355-3357. |
[4] | Knobel M,Vazquez M,Sanchez M L,et al.J.Magn.Magn.Mater.,1997,169(1-2):89-97. |
[5] | Panina L V,Mohri K,Bushida K,et al.J.Appl.Phys.,1994,76(10):6198-6203. |
[6] | Tejedor M,Hernando B,Sanchez M L,et al.J.Magn.Magn.Mater.,1999,196-197:330-332. |
[7] | Hernando B,Sánchez M L,Prida V M,et al.J.Appl.Phys.,2001,90(9):4783-4790. |
[8] | Knobel M,Sánchez M L,Gómez-Polo C,et al.J.Appl.Phys.,1996,79(3):1646-1654 |
[9] | Shin Kwang-Ho,Inoue Mitsuteru,Arai Ken-Ichi.J.Appl.Phys.,1997,85(8):5465-5467. |
[10] | Barandiaran J M,Gutierrez J.Sensors and Actuators A,1997,59(1-3):38-42. |
[11] | Ludwig A,Tewes M,Glasmachers S,et al.J.Magn.Magn.Mater.,2002,242-245:1126-1131. |
[12] | Schweiger A.Siemens Components,1997,1:16-18. |
[13] | Romero-Talamás C A,Bellan P M,Hsu S C.Rev.Sci.Instrumt.,2004,75(8):2664-2667. |
[14] | Dill H G.Electronic Design,1964,17(1):52-58. |
[15] | Jiang Z,Excell P S,Hejazi Z M.IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,1997,45(1):139-142. |
[16] | Stoppels D.J.Magn.Magn.Mater.,1996,160:323-328. |
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