报道了CdZnTe晶片表面钝化后,热处理工艺对其性能的影响.先采用30％的H2O2钝化抛光好的CdZnTe 晶片,然后在恒温干燥箱中进行热处理；最后使用ZC36微电流测试仪、EDX能谱仪和扫描电镜(SEM)研究热处理对钝化后的CdZnTe晶片表面的电学性能、表面成分以及表面形貌的影响.分析表明:CdZnTe钝化后在大气氛围120℃下热处理40 min,表面H2TeO3、H6TeO6等分解较为完全,晶片表面氧化层分布均匀,表面漏电流显著减小,晶体电阻率提高1～2个数量级,对提高探测器的性能有重要作用.
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