SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究

功能材料, 2007, 38(6): 876-878.

SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究

刘丽娟 ^1, , 罗以琳 ^2, , 黄锐 ^3, , 林璇英 ^4,

1.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

2.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

3.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063;南京大学,物理系,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093

4.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028208)

关键词：多晶硅薄膜 , 电导率 , 低温 , 晶化率

Study on low temperature electrical properties of polycrystalline silicon thin films deposited at low temperatures using SiCl4/H2

对用SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究.实验结果表明,多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度,在300～90K的温度范围内呈现不同的导电特性.对多晶硅薄膜,其导电特性还与晶化率有关,晶化率越大电导率越大.测量数据表明,低晶化率薄膜电输运主要由电子热发射跃过势垒所贡献,但对于高晶化率的薄膜要同时考虑电子隧穿对电导的影响.

参考文献

[1]	Seto Y W .[J].Journal of Applied Physics,1975,46:5247.
[2]	Baccarani G et al.[J].Journal of Applied Physics,1978,49:5565.
[3]	Mandurah M M et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1981,28:1165.
[4]	HUANG Rui,LIN Xuan-Ying,YU Yun-Peng,LIN Kui-Xun,WEI Jun-hong,YU Chu-Ying,WANG Zhao-kui.Fast Growth of Polycrystalline Film in SiCl4/H2 Plasma[J].中国物理快报（英文版）,2004(06):1168-1170.
[5]	林璇英,黄创君,林揆训,余运鹏,余楚迎,池凌飞.Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition[J].中国物理快报(英文版),2003(10):1879-1882.
[6]	林璇英,黄创君,林揆训,余运鹏,余楚迎,黄锐.用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析[J].物理学报,2004(05):1558-1561.
[7]	Zhu Z S;Lin X Y;Yu Y P et al.[J].Chinese Physics Letters,2005,54:3805.
[8]	Yu Y P;Lin X Y;Lin X H et al.[J].Chinese Physics Letters,2006,55:2038.
[9]	Liu F Z;Zhu M F et al.[J].Thin Solid Films,2001,395:97-100.
[10]	Ghosh A K et al.[J].Journal of Applied Physics,1980,51:8979.
[11]	Kamins T I .[J].Journal of Applied Physics,1971,42:4357.

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SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究

Study on low temperature electrical properties of polycrystalline silicon thin films deposited at low temperatures using SiCl4/H2

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