超硬薄膜β-C3N4的制备和表征

功能材料, 2000, 31(2): 172-174.

超硬薄膜β-C3N4的制备和表征

张永平 ^1, , 顾有松 ^2, , 常香荣 ^3, , 田中卓 ^4, , 时东霞 ^5, , 张秀芳 ^6, , 袁磊 ^7,

1.北京科技大学材料物理系北京100083

2.北京科技大学材料物理系北京100083

3.北京科技大学材料物理系北京100083

4.北京科技大学材料物理系北京100083

5.中国科学院北京真空物理实验室,北京,100080

6.中国科学院北京真空物理实验室,北京,100080

7.中国科学院北京真空物理实验室,北京,100080

基金项目: 中国科学院资助项目(19674009)

关键词： β-C3N4 , 超硬薄膜 , 磁波等离子体化学气相沉积

Preparation and Characterization of β-C3N4 Ultrahard Thin Films

本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在单晶硅和多晶铂基片上沉积βC3N4薄膜.X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分,对不同样品的分析结果表明,N/C原子比在1.1～2.0范围内.X射线衍射结构分析结果与计导的α-和β-C3N4单相X射线的峰位和强度相比较,说明它是α-和β-C3N4的混合物.FT一IR和Raman谱支持C-N共价键的存在.薄膜的体弹性模量达到349GPa.

参考文献

[1]	Liu A Y;Cohen M L .[J].Science,1989,245:841-842.
[2]	Cohen M L .[J].Science,1993,261:307-308.
[3]	Teter D M;Hemley R J .[J].Science,1996,271:53-55.
[4]	Chen L C;Yang C Y;Bhusari D M et al.[J].Diamond and Related Materials,1996,5:514-518.
[5]	Bhusari D M;Chen C K;Chen L C et al.[J].Journal of Materials Research,1997,12(02):322-325.
[6]	Wang E G;Chen Y;Guo L P .[J].Physical Scripta,1997,T69:108-114.

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