纳米ZnS:Cu薄膜及谐振腔的制备与特性研究

人工晶体学报, 2010, 39(2): 412-415.

纳米ZnS:Cu薄膜及谐振腔的制备与特性研究

秦旭峰 ^1, , 茅惠兵 ^2, , 侯士丽 ^3, , 王基庆 ^4, , 景为平 ^5,

1.南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通,226007;华东师范大学信息科学与技术学院,上海,200241

2.南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通,226007;华东师范大学信息科学与技术学院,上海,200241

3.华东师范大学信息科学与技术学院,上海,200241

4.华东师范大学信息科学与技术学院,上海,200241

5.南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通,226007

基金项目: 国家自然科学基金(60576059)

关键词： ZnS:Cu薄膜 , 光致发光 , 谐振腔

Preparation and Characterization of ZnS:Cu Nano-films and Resonator

采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS:Cu纳米薄膜及相应谐振腔.X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构.光致荧光测量显示,ZnS:Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰.荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS:Cu纳米薄膜荧光强度最强.在由Al膜与ITO薄膜构成的腔长为3.6 μm的ZnS:Cu垂直谐振腔中共观察到10多个荧光干涉峰.经分析确定,该垂直谐振腔的品质因数为30.3.

参考文献

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[3]	朱辉,黄剑锋,曹丽云,曾燮榕,熊信柏,吴建鹏.掺杂浓度对电沉积法制备ZnS： Cu光学薄膜影响[J].人工晶体学报,2009(03):681-684.
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