MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究

功能材料, 2004, 35(2): 180-182.

1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

2.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

3.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

4.中国科学院高能物理研究所,核分析室,北京,100039

5.中国科学院高能物理研究所,核分析室,北京,100039

6.中国科学院高能物理研究所,核分析室,北京,100039

基金项目: 国家自然科学基金(60171012)

Study of the C-V characteristics of the In/ Bi4Ti3O12/p-Si structure

利用sol-gel方法在p-Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜.测量不同退火温度下得到的In/BTO/p-Si结构的C-V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.

[1]	Kijima T;Satoh S;Matsunaga H et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1996(35):1246-1250.
[2]	Maffei N;Krupanidhi S B .[J].Journal of Applied Physics,1992,72(08):3617-3621.
[3]	Yu Jun;Zhao Jianhong;Zhou Wenli et al.[J].Applied Physics Letters,1997,70(04):490-492.
[4]	Sugiyama H.;Adachi Y.;Noda M.;Okuyama M.;Nakaiso T. .An improvement in C-V characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure for ferroelectric gate FET memory using a silicon nitride buffer layer[J].Japanese journal of applied physics,2000(4B):2131-2135.
[5]	Yan F.;Bao P.;Chan HLW.;Choy CL.;Wang YN. .The grain size effect of Pb(Zr0.3Ti0.7)O-3 thin films[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2002(1/2):282-285.
[6]	Kijima T;Matsunaga H .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1999(38):2281-2284.
[7]	Migita S.;Sakamaki K.;Ota H.;Tarui Y.;Sakai S.;Xiong SB. .Epitaxial growth of Bi4Ti3O12/CeO2/Ce0.12Zr0.88O2 and Bi4Ti3O12/SrTiO3/Ce0.12Zr0.88O2 thin films on Si and its application to metal-ferroelectric-insulator-semiconductor diodes[J].Japanese journal of applied physics,2000(9B):5505-5511.

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