本文报道MOCVD 生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料(超晶格、量子阱及量子共振隧穿二极管),采用横断面透射显微术表征了样品的界面结构。实验表明:多量子阱与超晶格的周期性良好,层与层之间界面清晰,采用[100]带轴入射,观察到超晶格的TEM 卫星衍射斑,测量到量子阱中电子的子能级跃迁吸收。研究了生长工艺和材料结构的关系,分析了影响RT 器件的因素。
The MOCVD growth of GaAs/Al_xGa_(1-x)As quantum heterostructures(in-cluding superlattices,quantum wells,double barrier resonant tunneling diods)are reportedin this paper.The interface structures of the epilayers are characterized by cross-sectionaltransmi
参考文献
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