T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究

材料导报, 2010, 24(z1): 227-229.

T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究

马泽宇 ^1, , 王晓亮 ^2, , 王翠梅 ^3, , 肖红领 ^4, , 杨翠柏 ^5,

1.中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083

2.中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

3.中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

5.中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

基金项目: 中国科学院知识创新工程项目(YYYJ-0701-02) 国家自然科学基金(60890193;60606002;60906006) 国家重点基础研究发展计划项目(2006CB604905) 中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(ISCAS2008T01;ISCAS2009L02)

关键词： T-ZnOw , 逾渗 , 复合材料

Simulation and Research of Percolation Phenomenon in T-ZnOw Polymer Composites

从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%.结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合.计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关

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