为了减少黑硅表面缺陷对黑硅太阳电池性能的影响,本文以金属纳米颗粒辅助刻蚀制备的156 mm× 156 mm多晶黑硅为研究对象,分别采用传统RCA清洗工艺中SCl清洗方法及其改进方法清洗黑硅,并通过SEM、少子寿命、IV、QE等手段表征黑硅微观结构及其光伏器件电性能.结果表明:改进清洗方法比SCI具有更好的清洗效果,能够有效去除黑硅中的金属残留,同时修正黑硅表面微结构,黑硅的少子寿命由1.98 μs提高到3.09 μs.对于156 mm× 156 mm多晶黑硅太阳电池,改进方法清洗的黑硅电池比SCl方法清洗黑硅太阳电池短路电流提升62mA,平均转化效率提升了0.16％,达18.01％.
参考文献
| [1] | Oh, J.;Yuan, H.-C.;Branz, H.M..An 18.2%-efficient black-silicon solar cell achieved through control of carrier recombination in nanostructures[J].Nature nanotechnology,201211(11):743-748. |
| [2] | Lin, X. X.;Zeng, Y.;Zhong, S. H.;Huang, Z. G.;Qian, H. Q.;Ling, J.;Zhu, J. B.;Shen, W. Z..Realization of improved efficiency on nanostructured multicrystalline silicon solar cells for mass production[J].Nanotechnology,201512(12) |
| [3] | Liu, Y.;Lai, T.;Li, H.;Wang, Y.;Mei, Z.;Liang, H.;Li, Z.;Zhang, F.;Wang, W.;Kuznetsov, A.Y.;Du, X..Nanostructure formation and passivation of large-area black silicon for solar cell applications[J].Small,20129(9):1392-1397. |
| [4] | Wang, Wei-Cheng;Tsai, Meng-Chen;Yang, Jason;Hsu, Chuck;Chen, Miin-Jang.Efficiency Enhancement of Nanotextured Black Silicon Solar Cells Using Al2O3/TiO2 Dual-Layer Passivation Stack Prepared by Atomic Layer Deposition[J].ACS applied materials & interfaces,201519(19):10228-10237. |
| [5] | 代智华 .金属催化化学刻蚀多晶黑硅材料及其太阳电池的制备[D].苏州大学,2013. |
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