低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究

功能材料, 2001, 32(3): 250-253.

低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究

王华 ^1, , 于军 ^2, , 王耘波 ^3, , 周文利 ^4, , 谢基凡 ^5, , 朱丽丽 ^6,

1.华中理工大学,电子科学与技术系,

2.华中理工大学,电子科学与技术系,

3.华中理工大学,电子科学与技术系,

4.华中理工大学,电子科学与技术系,

5.华中理工大学,电子科学与技术系,

6.华中理工大学,电子科学与技术系,

基金项目: 国家自然科学基金(69771024)

关键词： PZT , 铁电薄膜 , PLD , 制备工艺

Studies on fabrication and properties of PZT thin films by PLD at Iow temperature

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜.所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10-7A/cm2.107次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性.

参考文献

[1]	Scott J F;Araujo C A .[J].Science,1989,246:1400-1405.
[2]	Sinharoy S;Buhay H;Lampe D R et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology A,1992,A10(04):1554-1561.
[3]	Jun Yu;ZhaoJian Hong;Wenli Zhou .Formation and characteristics of Pb(Zr,Ti)O↓(3) field-effect transistor with a SiO↓(2) buffer layer[J].Applied physics letters,1997(1/4):490-492.
[4]	Tadahiko H;Kazuhiro T;Takeharu N .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1994,33(19B):5219-5222.
[5]	Song Yoon J;Zhu Yongfei;Desu S B .[J].Applied Physics Letters,1998,72(21):2686-2688.
[6]	薛增泉;吴全德;李浩.薄膜物理[M].北京:电子工业出版社,1991:251.
[7]	Du Xiaofeng;Chen I-Wei .[J].Journal of Applied Physics,1998,83(12):7789-7798.

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低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究

Studies on fabrication and properties of PZT thin films by PLD at Iow temperature

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