AlN/Mo/TiB2微波衰减材料的制备及介电性能研究

人工晶体学报, 2015, 44(11): 3060-3064.

AlN/Mo/TiB2微波衰减材料的制备及介电性能研究

董丽 ^1, , 董桂霞 ^2, , 程晓清 ^3, , 张茜 ^4, , 陈旸 ^5,

1.华北理工大学材料科学与工程学院,河北省无机非金属材料重点实验室,唐山063009

2.华北理工大学材料科学与工程学院,河北省无机非金属材料重点实验室,唐山063009

3.华北理工大学材料科学与工程学院,河北省无机非金属材料重点实验室,唐山063009

4.华北理工大学材料科学与工程学院,河北省无机非金属材料重点实验室,唐山063009

5.华北理工大学材料科学与工程学院,河北省无机非金属材料重点实验室,唐山063009

基金项目: 唐山市科技计划项目(14130272a) 国家国际科技合作项目(2014DFR50570)

关键词：氮化铝/钼/硼化钛复合陶瓷 , 放电等离子烧结 , 介电性能 , 电阻率

Preparation and Dielectric Properties of AlN/Mo/TiB2 Microwave Attenuation Materials

Keywords： AlN/Mo/TiB2 composite ceramic , spark plasma sintering , dielectric property , electrical resistivity

采用放电等离子烧结制备了AlN/Mo/TiB2微波衰减材料.研究了TiB2的含量对复合材料的相组成、致密度、电阻率及介电性能的影响.利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能进行测试分析.结果表明:随着TiB2的含量的增加,复合陶瓷的致密度先增大后减小,当加入15wt％ TiB2时,致密度达到最大,为98.71％.加入TiB2有利于复合陶瓷介电常数和介电损耗的增加.从电导率测试结果可知,复合陶瓷的渗流阈值在TiB2含量为15wt％.

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