推导出一维掺杂声子晶体的转移矩阵,研究了一维掺杂声子晶体的缺陷模特性.结果表明一维声子晶体掺杂后会在禁带中心处出现缺陷模.缺陷模随杂质厚度的变化呈周期性地出现,在同一周期内,缺陷模的频率随杂质厚度增加近似呈线性减小,但缺陷模的半高宽近似不变.缺陷模的半高宽随两介质声阻抗的差值的减少而增大.
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