Ga在SiO2-Si复合结构中的热分布研究

稀有金属材料与工程, 2005, 34(2): 275-278.

Ga在SiO2-Si复合结构中的热分布研究

裴素华 ^1, , 孙海波 ^2, , 修显武 ^3, , 张晓华 ^4, , 江玉清 ^5,

1.山东师范大学,山东,济南,250014

2.山东师范大学,山东,济南,250014

3.山东师范大学,山东,济南,250014

4.山东师范大学,山东,济南,250014

5.山东师范大学,山东,济南,250014

基金项目: 中国科学院资助项目(69976019)

关键词： Ga , SiO2-Si结构 , 浓度分布

Investigation of Thermal Distribution of Ga in SiO2/Si Structure

用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂质Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si两固相接触的内界面、近Si表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散Ga的实质是由SiO2薄膜对Ga原子的快速输运及其在SiO2-Si内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程Ga杂质浓度分布机理进行了分析和讨论.

参考文献

[1]	裴素华 et al.Technique of Transistor Fabrication by Open-Tube Ga Diffusion in Single Temperatu- re zone[P].China Patent CN 87101375,1987.
[2]	陈宜生;周佩瑶.物理效应及其应用[M].天津:天津大学出版社,1995:133-135.
[3]	刘秀喜,赵富贤,薛成山,孙瑛,华士奎.采用SiO2/Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究[J].半导体学报,1995(03):235.
[4]	Steckl A J;Moguland H C;Mogren S M .Ultrashallow Si P+-N Junction Fabrication by Low Energy Ga+ Focused Ion Beam Implantation[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1990,B8(06):1937-1940.
[5]	Steckl A J;Mogul H C;Mogren S M .Electrical Properties of Nanometer-Scale Si P+-N Junctions Fabricated by Low Energy Ga+ Focused Ion Beam Implantation[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1991,B9(05):2718-2721.
[6]	张晓华 et al.Investigation of the Segregation Effect of Ga in the Interface of SiO2-Si[J].稀有金属材料与工程,2001,30(zk):560.
[7]	王占国 .Exploration of Enhancing Innovation Capability of Function Materials in China[J].稀有金属材料与工程,2001,30(zk):26-31.
[8]	宋培凯 et al.New Development of Gallium and Its Extraction Method[J].稀有金属材料与工程,2001,30(zk):514-516.
[9]	张兴.微电子学概论[M].北京:北京大学出版社,1986:91-93.
[10]	孙大明.固体的表面与界面[M].Hefei:Anhui Education Press,1996:16.
[11]	黄昆;韩汝琦.半导体物理基础[M].北京:科学出版社,1979:125-127.

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