与金属电火花加工不同,由于半导体材料特殊的电特性,在进行半导体电火花线切割加工时,在电极丝与工件接触甚至已经被工件顶弯的状态下依然可以进行火花放电,蚀除工件材料,并且在微接触状态的切割效率还大大提高.研究分析认为:这主要是由于接触势垒和体电阻的存在,导致两极间在微接触时极间电压依旧维持在一个较高值,从而能在与微接触点不同的其他区域产生火花放电.分析了微接触式放电状态下效率提高的机理,认为切割效率的提高主要是由于脉冲放电本身利用效率的提高和侧边放电几率的降低所导致的用于正常蚀除的整体脉冲利用率提高.对微接触状态下的加工精度进行了研究,认为在微接触状态下进行切割加工时,应调整补偿量,以维持较好的加工尺寸精度.
参考文献
[1] | 张凤鸣.多晶硅薄膜太阳电池[J].太阳能学报,2003(04):555-564. |
[2] | Eberhard Bamberg;Dinesh Rakwal .Experimental investigation of wire electrical discharge machining of gallium-doped germanium[J].Journal of Materials Processing Technology,2008(1-3):419-427. |
[3] | Willeke GP. .Thin crystalline silicon solar cells[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,2002(1/4):191-200. |
[4] | 鲁清,刘志东,田宗军,邱明波,黄因慧.单晶硅电火花铣削维持电压测定及蚀除机理研究[J].人工晶体学报,2011(01):273-278,289. |
[5] | 胡燕伟,刘志东,邱明波,汪炜,田宗军,毕勇,黄因慧.进电材料及压力对半导体放电加工接触电阻的影响[J].机械科学与技术,2010(08):1089-1093,1096. |
[6] | 刘志东,曹银风,邱明波,田宗军,黄因慧.进电方式对高阻半导体硅放电加工影响研究[J].中国机械工程,2012(06):725-728. |
[7] | 邱明波,刘志东,田宗军,汪炜,黄因慧.硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究[J].应用基础与工程科学学报,2011(04):664-671. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%