为解决离子束加工热效应这一棘手问题,必须了解离子束加工过程中光学元件的温度场分布,以期优化工艺参数来降低离子束加工过程中光学元件的温度.本文基于ANSYS参数化设计语言(APDL),建立离子束作用下温度场模型,模拟离子束加工KDP晶体过程,并对不同工艺参数条件下工件的温度场进行仿真.分析了工艺参数对KDP晶体温升的影响规律,并通过正交分析方法优化了工艺参数.优化结果表明:从影响工件温度变化程度的角度,离子入射角度θ＞入射离子能量ε＞峰值束流密度J＞扫描行间距系数μ＞束流分布参数σ;从降低工件温升角度,应选取较小的入射离子能量和峰值束流密度以及较大的离子束径、扫描行间距系数和入射角度,减小离子束加工对工件性能的影响,同时加工时间增加不明显.
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