P(VDF/CTFE)共聚物薄膜的驻极体行为

功能材料, 2003, 34(1): 56-58.

P(VDF/CTFE)共聚物薄膜的驻极体行为

邱勋林 ^1, , 夏钟福 ^2, , 吴越华 ^3, , 王飞鹏 ^4, , 张冶文 ^5, , ^6,

1.同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092

2.同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092

3.同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092

4.同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092

5.同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092

6.Fraunhofer Institute of Applied Polymer Research,Golm D-14476,Germany

基金项目: 中-德合作项目

关键词：偏氟-三氟氯乙烯共聚物 , 驻极体 , 偶极子

The electret nehavior of poly(vinylidene/chlorotrifluoethy-lene)(P(VDF/CTFE))film

通过不同条件下的正负电晕充电,等温表面电位衰减测量,热刺激放电(TSD)电流谱分析和热脉冲技术,首次研究了偏氟乙烯(VDF)和三氟氯乙烯(CTFE)共聚物P(VDF/CTFE)的驻极体性质,结果指出:共聚物驻极体的空间电荷热稳定性明显优于PVDF;TSD谱分析说明这种材料驻极体也是极性驻极体,即体内同时包含有偶极和空间电荷.本文还对样品的正负电晕充电后的电荷储存稳定性做了对比;研究了材料的能阱分布,确定了样品在不同温度电晕充电时平均电荷重心的迁移规律.

参考文献

[1]	Sessler G M .[J].Journal of the Acoustical Society of America,1981,70(06):1596.
[2]	Kawai H .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1969,8:975.
[3]	Bergman J G;Mefee J H;CraneG R .[J].Applied Physics Letters,1971,18:203.
[4]	夏钟福 .[J].同济大学学报(自然科学版),1990,18(03):355.
[5]	夏钟福.驻极体[M].北京:科学出版社,2001:153.
[6]	张晓青,夏钟福,张冶文,G.M.Sessler.Si基Si3N4/SiO2双层膜驻极体的电荷储存与输运[J].物理学报,2001(02):293-298.
[7]	Creswell R A;Perlman M M .[J].Applied Phys Journal,1970,41:2365.
[8]	Sessler G M.Electret[M].New York:Springer-Verlag Berlin Heidelberg,1980:13.

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