热氧化法制备纳米ZnO薄膜及其发光特性的研究

功能材料, 2003, 34(5): 570-572.

热氧化法制备纳米ZnO薄膜及其发光特性的研究

王丹 ^1, , 张喜田 ^2, , 刘益春 ^3, , 张吉英 ^4, , 吕有明 ^5, , 申德振 ^6, , 范希武 ^7,

1.东北师范大学,理论物理研究所,吉林,长春,130024

2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021

3.东北师范大学,理论物理研究所,吉林,长春,130024;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021

4.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021

5.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021

6.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021

7.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021

基金项目: 国家自然科学基金(60176003) 中国科学院"百人计划"(ZT00Y18B)

关键词：纳米ZnO薄膜 , X射线衍射 , 紫外光致发光

Study of luminescent properties on ZnO thin films prepared by thermal oxidation of ZnS thin films

用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜, 并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响. X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大.光致发光谱是由紫外激子发光和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成的,且随热氧化温度升高,激子发光峰发生红移,激子发光和深能级缺陷发光强度之比逐渐增大,在热氧化温度为800℃时,其比值为10.

参考文献

[1]	Yamada Y;Mishima T;Mastomoto Y et al.[J].Physical Review,1995,B52:2289.
[2]	Chen Y;Bagnall D M;Koh H J et al.[J].Journal of Applied Physics,1998,84:3912.
[3]	Bethke S;Pan H;Wesseis B W .[J].Applied Physics Letters,1988,52:138.
[4]	Vispute RD.;Choopun S.;Sharma RP.;Venkatesan T.;He M. Tang X.;Halpern JB.;Spencer MG.;Li YX.;Salamanca-Riba LG.;Iliadis AA. Jones KA.;Talyansky V. .Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices[J].Applied physics letters,1998(3):348-350.
[5]	Cullity B D.Elements of X-Ray Diffractions[M].MA:Addition-Wesley Reading,1978:102.
[6]	Bagnall DM.;Shen MY.;Zhu Z.;Goto T.;Yao T.;Chen YF. .Room temperature excitonic stimulated emission from zinc oxide epilayers grown by plasma-assisted MBE[J].Journal of Crystal Growth,1998(0):605-609.
[7]	Spanel L;Anderson M A .[J].Journal of the American Chemical Society,1991,113:2826.
[8]	Brus L E .[J].Journal of Chemical Physics,1984,80:4403.
[9]	Dietz R E;Hopfield J J;Thomas D G .[J].Journal of Applied Physics,1961,32:2282.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网