3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi4O4S3超导电性的影响

低温物理学报 , 2014, 36(6): 405-409.

3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi4O4S3超导电性的影响

彭香连 ^1, , 尹训庆 ^2, , 冯振杰 ^3, , 黎杰 ^4, , 孙瑞 ^5, , 鲁波 ^6, , 康保娟 ^7, , 张金仓 ^8,

1.上海大学理学院,上海200444

2.上海大学理学院,上海200444

3.上海大学理学院,上海200444

4.上海大学理学院,上海200444

5.上海大学理学院,上海200444

6.上海大学微结构重点实验室,上海200444

7.上海大学理学院,上海200444

8.上海大学理学院,上海200444

基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10904088),上海市浦江人才计划(批准号:13PJD015)资助课题 Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No.10904088) and Shanghai PujiangProgram (Grant No.13PJD015).

关键词： Bi4O4S3 , 超导电性 , Bi位替代 , 磁性离子掺杂

THE EFFECT OF THE 3d METAL IONS X(X=Fe,Co,Mn) DOPING ON THE SUPERCONDUCTIVITY OF LAYER SUPERCONTOR Bi4O4S3

Keywords： Bi4O4S3 , superconductivity , Bi-site substitution , the doping of the magnetic ions

文章报道了3d金属离子X(X=Fe3+,Co3+,Mn4+)少量掺杂对新近发现的超导体Bi4O4S3结构及超导电性的影响.粉末X射线衍射数据表明,少量3d金属离子X的掺杂对晶格结构几乎没有影响.观察发现随着掺杂离子X半径的减少,超导转变宽度△Tc变窄,也就是少量3d金属离子X的掺入提高了Bi4O4S的超导电性.3d金属离子X的部分掺入提高了Bi4O4S3超导转变温度是一个非常值得关注的现象.

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