通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究.薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征.研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降.而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压.低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10-3Ω.cm)和高可见光透过率薄膜(90％).研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限.
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