用真空注浆法制备出膜厚为0.2mm的8m01%YSZ电解质膜管,用排水法、SEM和复阻抗等分析手段研究了YSZ电解质膜管烧结密度、表面形貌及其电导性能,确定了可使YSZ电解质膜管获得最佳烧结性能的烧结温度.研究结果表明,真空注浆法是一种制备高烧结性能YSZ电解质膜管的简单方法.用这一方法已制备出相对密度为98.1%、长度为254mm的致密YSZ电解质膜管,其烧结温度范围比传统注浆法制备YSZ电解质管降低了190~200℃.研究还表明,随烧结温度升高,样品致密度增大,导电性能也逐渐提高.经1600℃烧结2h样品的烧结密度和导电性能均达到最佳值;进一步提高烧结温度,样品的致密度和电学性能均有所下降.
参考文献
[1] | EtsellT H;FlengasSN .[J].Chemical Reviews,1970,70:339. |
[2] | Minh N Q .[J].Journal of the American Ceramic Society,1993,76(03):563. |
[3] | Asada A;Yamamoto H;Nakazawa M et al.[J].Sensors and Actuators,1990,BI:312. |
[4] | Micheli A L .[J].American Ceramic Society Bulletin,1973,52:373. |
[5] | GeorgeR A;BessetteNF .[J].Journal of Power Sources,1998,71:131. |
[6] | 祝桂洪.陶瓷工艺实验[M].北京:中国建筑工业出版社,1987:48-50. |
[7] | PDF Card No.30-1468,ICDD,Newton Sequre A[J].USA,1980 |
[8] | 李世普.特种陶瓷工艺学[M].武昌:武汉工业大学出版社,1995:g85. |
[9] | 李标荣.电子陶瓷工艺原理[M].武汉:华中工学院出版社,1986:89. |
[10] | 吴文芳.ZrO2烧结动力学研究[J].高等学校化学学报,1993(09):1257. |
[11] | GibsonlR;Dransfield G P;lrvin J T S .Soc[J].Journal of the European Ceramic Society,1998,18:661. |
[12] | ChuSH et al.[J].Journal of Solid State Chemistry,1978,23:297. |
[13] | Verkerk M J et al.Ionics[J].Solid State Ionics,1982,6:159. |
[14] | BadwalSPS;Drennan J .[J].Journal of Materials Science,1987,22:3231. |
[15] | Schouler E I L;Mesbahi N;Vitter G .[J].Solid State Ionics,1983,9,10:989. |
[16] | Inozemtsev M V;Perfil' ev M V;Lipilin -A S.[J].Elektrokhimiya,1974(10):1471. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%