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制备了WO3·0.33H2O及其插层石墨的复合材料(GIW),对材料进行了相应的表征,并比较了WO3·0.33H2O和石墨插层复合材料的光催化性能,发现WO3·0.33H2O石墨插层复合材料在紫外光下具有较之WO3·0.33H2O更优越的光催化性能.通过XRD、XPS、FT-IR、HRTEM等测试手段,分析了WO3·0.33H2O和GIW的晶相、微观结构,结果表明插层材料保持了WO3·0.33H2O的晶相,且WO3·0.33H2O被层状石墨包覆,有利于电子的转移;伏安循环法测试材料的氧化还原电位表明插层材料具有更负的导带位置.

参考文献

[1] 姜淼,侯峰,徐廷献,徐明霞.WO3薄膜材料的气敏性能[J].硅酸盐学报,2004(09):1064-1067.
[2] Penza M.;Mirenghi L.;Gerardi C.;Martucci C.;Cassano G.;Tagliente MA. .Tungsten trioxide (WO3) sputtered thin films for a NOx gas sensor[J].Sensors and Actuators, B. Chemical,1998(1):9-18.
[3] Kamal H;Akl AA;Abdel-Hady K .Influence of proton insertion on the conductivity, structural and optical properties of amorphous and crystalline electrochromic WO3 films[J].Physica, B. Condensed Matter,2004(1/4):192-205.
[4] 李建军,陈国平,刘云峰,黄蕙芬.掺杂氧化钨薄膜的电致变色特性[J].真空,2001(02):33-35.
[5] 方国家,刘祖黎,周远明,姚凯伦.脉冲准分子激光沉积纳米WO3多晶电致变色薄膜的研究[J].硅酸盐学报,2001(06):559-564.
[6] Guery C;Choquet C;Dujeancourt F.[J].Solid State Electrochemistry,1997(01):199-207.
[7] Gotic'a M;Ivandaa M;Popovic S.[J].Materials Science and Engineering B,2000(77):193-201.
[8] Deepa M;Sharpma N.[J].Journal of Materials Science,2000(35):5313-5318.
[9] 叶爱玲,贺蕴秋,周文明,解庆红,王锐华.WO3·0.33H2O纳米粉体的制备及其光催化性能研究[J].功能材料,2009(01):52-55,59.
[10] 黄颖霞,周宁琳,李利,刘颖,魏少华,沈健.石墨层间化合物的合成及其结构研究[J].南京师大学报(自然科学版),2005(04):57-59.
[11] Aoki M;Amawashi H.[J].Solid State Communications,2007(142):123-127.
[12] Balasubramanian A T;Breitholtz M.[J].Surface Science,2007(601):1167-1175.
[13] 张银洪,贺蕴秋.GIT插层材料微观结构及对SnO2基体气敏性能的影响[J].材料科学与工程学报,2006(04):582-587.
[14] 周文明;贺蕴秋 .[J].材料导报,2007,21:204-206.
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