离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究

功能材料, 2005, 36(11): 1673-1675.

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

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5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

6.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

7.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

8.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

基金项目: 科技部科研项目(G2000067207-2)

Electron emission suppression characteristic of molybdenum grid coated with Hf by ion beam assisted deposition

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.

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