溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究

功能材料, 2008, 39(5): 730-736.

溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究

陈寒娴 ^1, , 杨瑞东 ^2, , 王茺 ^3, , 邓荣斌 ^4, , 孔令德 ^5, , 杨宇 ^6,

1.云南大学,工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南,昆明,650091

2.红河学院,物理系,云南,蒙自,661100

3.云南大学,工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南,昆明,650091

4.云南大学,工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南,昆明,650091

5.云南大学,工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南,昆明,650091

6.云南大学,工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南,昆明,650091

基金项目: 国家自然科学基金(60567001) 云南大学学术骨干培养基金支持的资助项目(YG070436)

关键词： Si/Ge多层膜 , 可见光致发光 , 离子束溅射

Photoluminescence of Si/Ge multilayer films deposited by ion-beam sputtering

采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.

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