氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8 GHz~12 GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化.当将Si-C-N陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚度2.20 mm的吸收层,面密度仅为2.86 kg/m2,在10.47 GHz处吸收可达-28.84 dB,证明了阻抗匹配在研制雷达吸收材料方面的重要性,并提出Si-C-N陶瓷与μ′、μ″值更高的磁性材料复合,吸收性能将会得到更大的提高.
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