利用共沉淀方法合成了Nb掺杂SnO2材料,通过X射线衍射分析了材料的相组成,利用电阻-温度特性测试仪研究了材料的电阻温度特性,并利用半导体热力学理论分析了材料的NTC机理.结果表明,600℃煅烧能获得高纯的四方结晶相掺杂SnO2,粉体晶粒平均尺寸为10.5nm;Nb掺杂SnO2体现出良好的电阻负温度系数(NTC)效应,材料常数为3662K.
参考文献
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