硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

功能材料, 2011, 42(4): 609-611.

硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

曾凡光 ^1, , 李昕 ^2, , 左曙 ^3, , 夏连胜 ^4, , 谌怡 ^5, , 刘星光 ^6, , 张篁 ^7, , 张锐 ^8,

1.郑州航空工业管理学院,数理系,河南,郑州,450015

2.西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安,710049

3.西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安,710049

4.中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900

5.中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900

6.中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900

7.中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900

8.郑州航空工业管理学院,数理系,河南,郑州,450015

基金项目: 航空科学基金资助项目(2009ZE55003) 国家自然科学基金资助项目(51072184;50972132) 河南省基础与前沿技术研究计划资助项目(092300410139)

关键词：热解法 , 碳纳米管薄膜 , 强流脉冲发射 , 峰值电流密度

Characteristics of intensity pulsed electron emission from carbon nanotube film grown on silicon substrate by pyrolysis of FePc

采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A.第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍.

参考文献

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