利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 kV,注入剂量为1×1017 ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700 ～ 1000℃退火处理.研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响.采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注人样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征.实验结果表明,采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法,所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性,同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径.
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