工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响

表面技术 , 2013, 42(1): 71-74.

工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响

曹德峰 ^1, , 万小波 ^2, , 邢丕峰 ^3, , 易泰民 ^4, , 杨蒙生 ^5, , 郑凤成 ^6, , 徐导进 ^7, , 王昆黍 ^8, , 楼建设 ^9,

1.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900;上海精密计量测试研究所,上海201109

2.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

3.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

4.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

5.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

6.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

7.上海精密计量测试研究所,上海201109

8.上海精密计量测试研究所,上海201109

9.上海精密计量测试研究所,上海201109

关键词： Mo薄膜 , 直流磁控溅射 , 工作气压 , 晶粒尺寸 , 微观应力

Effects of Working Pressure on Mo Films by Direct Current Magnetron Sputtering

利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响.结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加；低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松；在工作气压为0.8Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小.

参考文献

[1]	Gordillo G.;Hernandez LC.;Grizalez M. .Structural and electrical properties of DC sputtered molybdenum films[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,1998(3/4):327-337.
[2]	Assmann L;Bernede JC;Drici A;Amory C;Halgand E;Morsli M .Study of the Mo thin films and Mo/CIGS interface properties[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2005(1/3):159-166.
[3]	赵志明;丁宇;曹智睿等.GICS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究[J].材料导报B,2011,25(06):74-77.
[4]	IWATA S;YAMAMOTO N;KOBAYASHI N et al.A New Tung-sten Gate Process for VLSI Applications[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1984,31(09):1174.
[5]	SHAH P L .Refractory Metal Gate Processes for VLSI Application[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1979,26(04):631.
[6]	KINOSHITO H;KURIHARA K;MIZOTA T.Sort X-ray Reduction Lithography Using Nultilayer Mirrors[J].J Vac Sic Tech B,1989(76):1648.
[7]	THIEME J;GLEBER S;MITREA G et al.Microscopy and Spectromicroscopy with Soft X-ray[J].Optics Precisiion Eng,2007,15(12):1878.
[8]	王洪昌,王占山,秦树基,李佛生,陈玲燕,朱杰,崔明启.软X射线Mo/Si多层膜反射率拟合分析[J].光学学报,2003(11):1362-1365.
[9]	涂昱淳,宋竹青,黄秋实,朱京涛,徐敬,王占山,李乙洲,刘佳琪,张力.磁控溅射制备横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜[J].强激光与粒子束,2011(09):2419-2422.
[10]	李学丹;万学英;姜祥祺.真空沉积技术[M].杭州:浙江大学出版社,1994
[11]	齐红基,易葵,贺洪波,邵建达.溅射粒子能量对金属Mo薄膜表面特性的影响[J].物理学报,2004(12):4398-4404.
[12]	张茂国,陈华.磁控溅射法制备硅钼薄膜及其性能表征[J].稀有金属材料与工程,2005(07):1158-1161.
[13]	Klabunde F.;Blasing J.;Drusedau T.;Lohmann M. .THE INFLUENCE OF ARGON PRESSURE ON THE STRUCTURE OF SPUTTERED MOLYBDENUM - FROM POROUS AMORPHOUS TO A NEW TYPE OF HIGHLY TEXTURED FILM[J].Journal of Applied Physics,1996(11):6266-6273.
[14]	吴永刚,曹二华,王占山,魏军明,顾春时,唐伟星,陈玲燕.X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究[J].光学仪器,2001(05):144-148.
[15]	朱继国,丁万昱,王华林,张树旺,张粲,张俊计,柴卫平.Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响[J].微细加工技术,2008(04):35-38.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响

Effects of Working Pressure on Mo Films by Direct Current Magnetron Sputtering

参考文献