运用经验电子理论(EET)对Al-Cu合金薄膜析出相θ(Al2Cu)的价电子结构进行计算.结果表明θ相中的Cu-Cu键最强,其次为Al-Cu键,它们的强度都比金属Cu的最强Cu-Cu键要强.Al-Cu合金薄膜互连线的电迁移寿命与在基体晶粒中析出具有强的共价键络的θ相紧密相关.θ相的析出提高了合金强度,延长了合金电迁移寿命.
参考文献
[1] | Colgan E G;Rodbell K P .The role of Cu distribution on the electromigration reliability of Al(Cu) lines[J].Journal of Applied Physics,1994,75(07):3423-3435. |
[2] | Han JH.;Kang SH.;Morris JW.;Shin MC. .Effects of precipitate distribution on electromigration in Al-Cu thin-film interconnects[J].Applied physics letters,1998(6):762-764. |
[3] | Witt C;Volket C A;Aryt E .Cu motion and precipitation in bamboo Al-Cu interconnects[J].Acta Materialia,2003,51(01):49-60. |
[4] | 张瑞林.固体与分子经验电子理论[M].长春:吉林科学技术出版社,1993:1-300. |
[5] | Mondolfo L F.Structure and Property of Aluminum Alloys[M].London:Butterworths Press,1976:200-400. |
[6] | 钟夏平,高英俊,刘慧.Al-Cu合金时效初期的价电子结构[J].中国有色金属学报,2004(01):55-59. |
[7] | 高英俊,钟夏平,刘慧,班冬梅.Al-Cu合金亚稳相的价电子结构分析[J].稀有金属,2003(06):845-848. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%