SO1-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究

功能材料, 2001, 32(3): 252-253.

SO1-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究

张林涛 ^1, , 任天令 ^2, , 张武全 ^3, , 刘理天 ^4, , 李志坚 ^5,

1.清华大学,微电子所,

2.清华大学,微电子所,

3.清华大学,微电子所,

4.清华大学,微电子所,

5.清华大学,微电子所,

基金项目: 国家自然科学基金(69806007)

关键词： sol-gel法 , PZT , 铁电薄膜

Study of silicon-based ferroelectric PZT thin films fabricated by sol-gel method

介绍了以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶-凝胶(sol-gel)方法在硅衬底上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程.对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析,结果表明硅基PZT薄膜形成了良好的钙钛矿结构.并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺.

参考文献

[1]	李志坚,任天令,刘理天.铁电-硅微集成系统[J].半导体学报,1999(03):177.
[2]	Racine G A;Luthier R;Rooij N F.Proc IEEE-MEMS,Fort Lauderdale[M].USA:TX,1993:128.
[3]	Chen J L;Chen M;Lee J Y .[J].Applied Physics Letters,1996,69:4011.
[4]	Kuo Y F;Tseng T Y .[J].Journal of Materials Science,1996,31:361.
[5]	Boyle T J;Al-shareef H N .[J].Journal of Materials Science,1997,A58:229.

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Study of silicon-based ferroelectric PZT thin films fabricated by sol-gel method

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