掺Gd-CdTe薄膜的XPS研究

稀土, 2012, 33(5): 27-31.

掺Gd-CdTe薄膜的XPS研究

安晓晖 ^1, , 李蓉萍 ^2, , 田磊 ^3, , 何志刚 ^4, , 吴蓉 ^5, , 李忠贤 ^6,

1.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

2.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

3.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

4.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

5.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

6.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

基金项目: 内蒙古教育厅项目(nj09006)

关键词：真空蒸发 , 掺Gd-CdTe 薄膜 , XPS , 成分

XPS Study of CdTe Thin Films Doped with Gd

应用双源法真空蒸发制备掺Gd的CdTe薄膜,并借助XPS对其进行组份分析.实验表明,Gd掺杂的CdTe薄膜的组分为Cd、Te、O、C、Gd等元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面;Cd、Te元素的存在方式为CdTe化合物及其氧化物形式;而Gd元素由于碳污染的原因在其表面未曾出现,只在刻蚀过程中出现;深度剥蚀分析表明在样品内部Cd元素的含量大于Te元素的含量,且接近于1∶0.8,趋于稳定.

参考文献

[1]	Bosio A;Romeo N;Mazzamuto S;Canevari V .Polycrystalline CdTe thin films for photovoltaic applications[J].Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,2006(4):247-279.
[2]	Krishna KV;Dutta V .Effect of in situ CdCl2 treatment on spray deposited CdTe/CdS heterostructure[J].Journal of Applied Physics,2004(7):3962-3971.
[3]	C. K. Kang;Sh. U. Yuldashev;J. H. Leem .Surface passivation by sulfur treatment of undoped p-CdTe(100)[J].Journal of Applied Physics,2000(4):2013-2015.
[4]	刘朝旺.用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析[J].红外技术,1994(05):6.

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