电子束熔炼冶金级硅中杂质钙的蒸发行为

功能材料, 2010, 41(z1): 117-120.

电子束熔炼冶金级硅中杂质钙的蒸发行为

彭旭 ^1, , 董伟 ^2, , 谭毅 ^3, , 姜大川 ^4, , 王强 ^5, , 李国斌 ^6,

1.辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,辽宁,大连,116204;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024

2.辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,辽宁,大连,116204;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024

3.辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,辽宁,大连,116204;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024

4.辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,辽宁,大连,116204;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024

5.辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,辽宁,大连,116204;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024

6.辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,辽宁,大连,116204

基金项目: 辽宁省重大科技攻关资助项目(200622207)

关键词：冶金级硅 , 电子束熔炼 , 钙 , 蒸发行为

Evaporation behavior of calcium in metallurgical silicon by an electron beam melting method

通过双枪电子束熔炼炉熔炼冶金级硅,主要研究了在一定熔炼功率不同熔炼时间下,杂质Ca含量的变化及其蒸发行为,讨论了杂质Ca含量与Si剩余率的关系.实验结果表明,熔炼初期杂质Ca含量显著降低,随着熔炼时间的延长,下降趋势逐渐减缓.在硅熔体表面2133K温度下,杂质Ca的自由蒸发反应遵循一级反应速率方程.杂质Ca的总传质系数为2.64×10-5m/s,并且杂质Ca从熔体内部迁移到硅熔体/气相界面层是其蒸发过程的速率控制步骤.

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