在铜基体复合电沉积金刚石-铜过渡层,用热丝CVD法对铜基镶嵌结构界面金刚石膜的初期生长过程进行了研究.结果表明:不规则的露头金刚石在CVD生长初期逐渐转化为规则的刻面金刚石,长大速率呈现先增加后降低的趋势,伴随着刻面的形成,在露头金刚石与电镀铜二面角处开始二次形核,二次晶粒与电镀铜形成新的二面角并促进二次形核,如此繁衍长大的结果是二次晶粒填充在露头金刚石颗粒沟槽之间,形成连续的金刚石膜.
参考文献
[1] | 邱万奇,陈星婷,刘仲武,钟喜春,余红雅,曾德长.镶嵌结构界面金刚石涂层研究进展[J].真空科学与技术学报,2011(06):691-695. |
[2] | Qiu, W.Q.;Dasari, A.;Mai, Y.-W. .Improvement in adhesion of diamond film on Cu substrate with an inlay structured interlayer[J].Surface & Coatings Technology,2011(2/3):224-227. |
[3] | Huang YS;Qiu W;Luo CP .Effect of molybdenum on diamond deposition and adhesion[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2005(1/2):20-25. |
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