电化学制备Ba1-xSrxWO4薄膜的工艺研究及分析表征

功能材料, 2004, 35(2): 225-230.

电化学制备Ba1-xSrxWO4薄膜的工艺研究及分析表征

毕剑 ^1, , 肖定全 ^2, , 高道江 ^3, , 余萍 ^4, , 朱建国 ^5, , 陈连平 ^6, , 杨祖念 ^7, , 张文 ^8,

1.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;四川师范大学,化学学院,四川,成都,610066

2.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

3.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;四川师范大学,化学学院,四川,成都,610066

4.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

5.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

6.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

7.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;四川教育学院,物理系,四川,成都,610041

8.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001-AA 320201)

关键词： Ba1-xSrxWO4薄膜 , 电化学 , XRD , SEM , XPS

Research on the deposition and characterization of Ba1-xSrxWO4 films prepared by electrochemical method

采用恒电流技术直接在金属钨片上制备了白钨矿结构的Ba1-xSrxWO4晶态薄膜;讨论了电流密度、酸度、温度、电解液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响.采用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶相;扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌;X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的成分与价态.研究结果表明,通过控制上述工艺条件可以控制沉积薄膜的质量;在室温附近、较低的电流密度、pH值在12～13范围内时,能够制备出结晶良好、表面均匀的Ba1-xSrxWO4固溶体薄膜.

参考文献

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[8]	Cho W S;Masatomo Y;Masato K et al.[J].Journal of the American Ceramic Society,1997,80(03):768.

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